Samsung: a jóból nem árt a sok

A Samsung Electronics megkezdte az iparág első, csúcskategóriás mobil eszközökhöz készülő 256 gigabájtos beágyazott memóriájának tömeggyártását. Az újonnan bemutatott, 2.0 szabványra épülő Univerzális Falsh Storage (UFS) memória olyan teljesítménnyel ruházza fel a mobilkészülékeket, amely a személyi számítógépekbe épített SATA-alapú hagyományos SSD-két is meghaladja. Az úm memória V-Nand flash memória chipjen és speciális kialakítású, nagy teljesítményű vezérlőegységein alapul. Az új UFS memória akár 45 000 input és 40 000 output műveletet is képes kezelni másodpercenként. Ezzel több mint kétszer olyan gyors, mint az UFS memória előző generációja, amely még csupán 19 000-es és 14 000-es IOPS (input/output operations per second) értékkel rendelkezett.

A 256 GB-os UFS szekvenciális olvasásnál két adatátviteli sávot használ, így akár 850 MB/s-os sebesség elérésére is képes, amivel közel kétszer olyan gyors, mint a számítógépekben alkalmazott hagyományos SATA-rendszerű SSD-k. Ami a szekvenciális írást illeti, az eszköz a nagy teljesítményű külső micro SD kártyákhoz képest a közel háromszoros, 260 MB/s-os sebességet is képes támogatni. A gyakorlatban mindez azt jelenti, hogy az új 256 GB-os UFS memóriával zökkenőmentesen lejátszhatók az Ultra HD videók, és kihasználhatók a nagy kijelzős mobileszközök multitasking funkciói.