A Samsung Electronics megkezdte az iparág első, négy gigabájtos dinamikus RAM-jának (DRAM) tömeggyártását. Az új DRAM a második generációs High Bandwidth Memory (HBM2) szabványon alapul, így a nagyteljesítményű számítástechnikában (HPC), a fejlett grafikai és hálózati rendszerekben és a vállalati szervereknél egyaránt használható. A Samsung új HBM megoldása egyedülálló, a jelenlegi felső sebességhatárnál hétszer gyorsabb DRAM teljesítményt biztosít. Az újonnan bemutatott 4 GB-os HBM2 DRAM a Samsung leghatékonyabb, húsz nanométeres feldolgozási technológiáját ötvözi a fejlett HBM chip tervezéssel. A négy gigabájtos HBM2 készletbe egy nagy sebességű gyorsítótárat és négy darab nyolcgigabites memóriaegységet integráltak.
És még ez is...
-
2014. november 14.
Magyarországon az Epson 2G-s okosszemüvege
-
2013. július 18.
Életmentő lehet a Kingston új kütyüje
-
2016. november 26.
Jegesmedvéknek gyárt switch-et a Zyxel
-
2017. március 21.
Jönek az ADATA SD600 külső 3D NAND SSD meghajtói
-
2014. május 6.
OKI mátrix: itt a suttogó
-
2016. augusztus 12.
Nem akármilyen modellekkel bővíti mfp-kínálatát a Sharp