Samsung: jönnek a 100 terabájtnál nagyobb SSD-k

SamsungA Samsung Electronics bemutatta a következő generációs flash memória-megoldásokkal kapcsolatos terveit. A vállalati ügyfelei számára már elérhetők a negyedik generációs, függőleges NAND-t (V-NAND) és nagy teljesítményű, nagy kapacitású szilárdtest-meghajtó (SSD) sorozata, valamint a flash-alapú tárolásban áttörést jelentő új megoldása, a Z-SSD-t. Az új V-NAND alapú meghajtók az elődjénél harminc százalékkal több cellatömb-réteget tartalmaz. A 64 rétegű cellatömbből felépülő, új V-NAND az egylapkás kapacitást az iparágvezető 512 GB-ra, az I/O sebességet pedig 800 Mb/s-ra növelheti. 2013 augusztusától kezdve a Samsung az iparág-első 24, 32 és 48 rétegű, függőlegesen egymásra helyezett cellatömb-technológiával rendelkező V-NAND termékek három generációját mutatta már be.

A Samsung legújabb SAS (Serial Attached SCSI) SSD-je a világon eddig bemutatott legnagyobb egyeszközös, 512 gigabites (Gb) V-NAND chipeken alapuló meghajtója. A 16 rétegben egymásra helyezett, összesen 512 V-NAND chip egy 1 terabájtos (TB) csomagot alkot, a 32 terabájtos (TB) SSD pedig 32 ilyen csomagot tartalmaz. A 32 TB-os SAS SSD 2,5 hüvelykes formában lesz kapható, és 2017-ben kezdik gyártani. A Samsung azt is tervezi, hogy a V-NAND technológia folyamatos finomításának köszönhetően 2020-ra elérhetővé teszi a 100 TB-nál nagyobb tárolókapacitással rendelkező SSD-ket.

Vélemény, hozzászólás?

Az e-mail-címet nem tesszük közzé.

Next Post

Mostantól Magyar-Zimmerman működteti az SAP-t

pén aug 12 , 2016
Új, vezetői pozíciót hozott létre az SAP hazai fejlesztőközpontja, amelyre Magyar-Zimmerman Nicholast nevezte ki- adta hírül az SAP Hungary Kft. A működtetési igazgatói (COO) szerepet a fejlesztőközpontnál zajló jelentős bővítés indokolta. Az új vezető feladata a több mint hétszáz fősre nőtt központ napi menedzselése mellett a leendő munkatársak megkeresését segítő szakmai […]