Az új DRAM támogatja a 3200 megabites másodpercenkénti adatátviteli sebességet, amely több mint 30 százalékkal gyorsabb, mint a 20 nm-es DDR4 DRAM 2400 Mbit/s-os sebessége. Emellett a 10 nm osztályú DRAM chipekből előállított új modulok tíz-húsz százalékkal kevesebb energiát fogyasztanak a 20 nm rendszerhez képest, ami tovább javítja a következő generációs, nagy teljesítményű számítástechnikai (HPC) rendszerek és más nagyvállalati hálózatok kialakításának hatékonyságát, de széles körben felhasználható lesz a személyi számítógépek és a legelterjedtebb kiszolgálók piacán is.