A Samsung megkezdte a 128 GB-os memóriák gyártását

A Samsung Electronics bejelentette, hogy megkezdi az iparág első, TSV (through silicon via) technológiával készülő, 128 GB-os DDR4-es memóriamoduljának tömeggyártását. A chipkészletet vállalati szerverek és adatközpontok számára tervezték, és a piac legnagyobb kapacitásával és legmagasabb energiahatékonysági szintjével rendelkezik. A 128 GB-os TSV DDR4 RDIMM memóriamodulon összesen 144 db DDR4 chip kapott helyet, harminchat, egyenként 4 GB-os DRAM tokozásba rendezve. Mindegyik DRAM chip belsejében található négy darab, húsz nanométer alapú 8 Gb-es chip, amelyek TSV technológiával kapcsolódnak egymáshoz.

A hagyományos memóriachipek tokozásán belül a lapkák huzalozva kapcsolódnak egymáshoz, míg a TSV megoldás esetén az egymásra rétegezett szilíciumlapkákon belül kialakított több száz járaton keresztül futnak a vezetékek, a lapkák így vertikálisan csatlakoznak egymáshoz. Amellett, hogy a Samsung 128 GB TSV DDR4 modulja a jelenleg elérhető legnagyobb memória kapacitást és a TSV fejlett áramköreit használja, különleges tervezése miatt az összekapcsolt 4 GB-os chipek mesterlapkája adatbuffer funkcióval is rendelkezik, így optimalizálva a modul teljesítményét és energiafogyasztását.